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BSZ100N06LS3 G 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

BSZ100N06LS3 G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 23µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 30V

功率_最大：50W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

包裝：剪切帶 (CT)

BSZ100N06LS3 G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 23µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 30V

功率_最大：50W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

包裝：帶卷 (TR)

BSZ100N06LS3 G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 23µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 30V

功率_最大：50W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

包裝：Digi-Reel®

• C2012X5R0G476M

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 47UF 4V 20% X5R 0805

• BTS3205G

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān)    Infineon Technologies    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SWITCH PWR LOSIDE DSO-8

• C1005C0G1H470J

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 47PF 50V 5% NP0 0402

• BH29RB1WGUT-E2

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Rohm Semiconductor    4-WFBGA，CSPBGA    IC REG LDO 2.9V .15A 4-VCSP

• BSZ100N03MS G

  FET - 單    Infineon Technologies    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8

• C0805C820J1GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 82PF 100V 5% NP0 0805

• C2012X5R0G476M

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 47UF 4V 20% X5R 0805

• C3216X7R1E105M/1.60

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206

• BTS3408G

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān)    Infineon Technologies    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SWITCH LOW SIDE DUAL PDSO-8

• BH2DW

  電池座，夾，觸點(diǎn)    MPD (Memory Protection Devices)    8-PowerVDFN    HOLDER BATT 2-D 6" WIRE LEADS

• C2012X5R0J106K/1.25

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 10UF 6.3V 10% X5R 0805

• C0805C820J2GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 82PF 200V 5% NP0 0805

• C3216X7R1E105M/1.60

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206

• BTS409L1 E3062A

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān)    Infineon Technologies    TO-263-5，D²Pak（4 引線+接片），TO-263BB    IC SWITCH SMART HISIDE TO220AB-5

• C1005C0G1H4R7B

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 4.7PF 50V NP0 0402